Test structures for the local oxidized self-aligned polysilicon gate CMOS process, NORDICMOS

Test structures for the local oxidized self-aligned polysilicon gate CMOS process, NORDICMOS

datePublished

• 1984

description

• kuvitettu
• Sarjalla myös ruots. ja engl. nimeke.

identifier

• propertyID: FI-FENNI value: 62423
• propertyID: FI-MELINDA value: 000037731
• propertyID: skl value: fx62423

isbn

• 9513819817

isPartOf

• Fennica
• Yhteiskun.t. tutk.l. Tamp. yliop., C

name

• Test structures for the local oxidized self-aligned polysilicon gate CMOS process, NORDICMOS

numberOfPages

• 97, [15] s.

P60048

• <http://rdaregistry.info/termList/RDACarrierType/1049>

P60050

• <http://rdaregistry.info/termList/RDAMediaType/1007>

publication

• location: Espoo Hki organizer: Valtion painatuskeskus, [jakaja Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Puolijohdelaboratorio

publisher

• Valtion painatuskeskus, [jakaja
• Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Puolijohdelaboratorio