Molecular beam epitaxy of gallium arsenide on silicon

Molecular beam epitaxy of gallium arsenide on silicon

datePublished

• 1991

description

• kuvitettu
• Tiivistelmä ja 6 erip.

identifier

• propertyID: FI-FENNI value: 222700
• propertyID: FI-MELINDA value: 005504240
• propertyID: skl value: fx222700

isbn

• 9517215991
• 9517216742

isPartOf

• Fennica
• Julkaisu / Viherympäristöliitto

name

• Molecular beam epitaxy of gallium arsenide on silicon

numberOfPages

• 36, [43] s.

P60048

• <http://rdaregistry.info/termList/RDACarrierType/1049>

P60050

• <http://rdaregistry.info/termList/RDAMediaType/1007>

publication

• location: Tampere organizer: Tampereen teknillinen korkeakoulu

publisher

• Tampereen teknillinen korkeakoulu